MOS-FETの死亡判定方法その1


このページではMOS-FETがゲート破壊により壊れてしまっている場合の簡単な判定方法なんぞを
紹介してみようかと思います。

MOS-FETは何気にゲート破壊しやすく、机の上に一週間置いておいただけで
ぶっ壊れて使えなくなったりする物も有りますので、
この確認方法は知っていて損は無いかと思われます。

では始めます。

まず、こんなものを用意します。
用意するもの
テスター（抵抗測定機能が付いたもの）
生死判定をしたいMOS-FET

次に以下の事をゴニョゴニョしていきます。
説明のためにまずは生きている方のFETから行きますか。


①　　ゲート端子に赤線、ソース端子に黒線を付ける。
ゲートチャージ

②　　ドレイン端子に赤線、ソース端子に黒線を当て、抵抗値を測る。
抵抗測定
※このときの抵抗値を覚えておいて下さい。

③　　ゲート端子に触れる。
ゲート放電
※自身が帯電していない事を確認してから触れてください。

④　　もう一度ドレイン端子に赤線、ソース端子に黒線を当て、抵抗値を測る。
抵抗測定
※この時、前に抵抗を測った時より抵抗値が格段に上がっていたら
　　そのFETは生きています。大切に使ってやって下さい。


ね？簡単でしょ？

因みに原理は以下の通りです。


①：MOS-FETゲートに電荷をチャージし、ゲートを開く。

②：開いたゲート間の抵抗を測る。ゲートが開いているのだから抵抗値が低いのは当たり前。
　　この時、ゲートに電気を流し続けなくてもゲートが開いていてくれるのは
　　MOS-FETのゲートがキャパシタで出来ているお陰。

③：ゲート電荷を放電して、ゲートを閉じる。
　　ゲートの電荷量はそんなに多くないので、人が触った程度でも簡単に引き抜ける。
　　ゲートの電荷が引き抜かれるので、ゲートが閉じる。

④：閉じたゲート間の抵抗を測る。ゲートが閉じているのだから抵抗値が高いのは当たり前。


要は、手動でスイッチングをしてやってるだけなんですね（笑


さて、では次にゲート破壊を起こしたFETを調べてみましょう。


まずは、ゲートに電荷をチャージして・・・と・・・・ここで既におかしいですね。
ゲート死亡のお知らせ1

ゲート、ソース間がツーツーに開いています。抵抗がありません。
こんなもん既にキャパシタじゃない訳なのでチャージなんぞ出来ません。

一応ゲートを放電してからドレイン、ソース間の抵抗も測ってみます。
ゲート死亡のお知らせ2
あーら、ゲートが開きっぱなしな様です、抵抗がかなり低いです。
これじゃあMOS-FETとしての役目は果たせません。ご臨終です。


と、言うわけで、めでたく死亡判定を下す事が出来ました。
因みにゲート破壊を起こしたFETを知らずに使うと、核兵器級に周りの素子を破壊しまくります。

上で見た通り、まずゲート、ソース間がショートしているので、
FETをドライブしていたICやらトランジスタやらをまとめて破壊します。

次にゲートが開きっぱなしで、ドレイン、ソース間も常に低抵抗なので、
その前段、後段、両方の素子を一気に破壊します。
ついでに同じ時に電源も過負荷でやられます。

中々これらが一気に起こると爽快ですよ。泣きたくなるほどに（笑

と、言うわけで。
皆さんもMOS製品は使わない時には、導電マットに挿すとか、導電袋に入れるとかして
十二分に対策をしておいて下さい。


ではノシ